2N6755
N通道,电流:12A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2N6755
- 商品编号
- C3275981
- 商品封装
- TO-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
HEXFET技术是国际整流器公司(International Rectifier)先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。HEXFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻,同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 HEXFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势,如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
- 快速开关
- 低驱动电流
- 易于并联
- 出色的温度稳定性
应用领域
- 开关电源
- 电机控制
- 逆变器
- 斩波器
- 音频放大器
- 高能脉冲电路