HGTD3N60C3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.8nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HGTD3N60C3和HGTD3N60C3S是MOS栅控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。在25℃至150℃之间，其低导通压降变化适中。
IGBT非常适合许多中频率运行的高压开关应用，在这些应用中，低导通损耗至关重要，例如：交流和直流电机控制、电源以及电磁阀、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 6A、600V（Tc = 25°C）
- 600V开关安全工作区能力
- 典型下降时间：在Tj = 150°C时为130ns
- 短路额定值
- 低导通损耗