IXGF32N170
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.7kV | |
| 集电极电流(Ic) | 44A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@15V,32A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 270ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 10.6mJ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |