IXBF20N300
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 3kV | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@15V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 1.35us | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 直接铜键合（DCB）基板上的硅芯片
- 隔离安装表面
- 4000V~电气隔离
- 高阻断电压
- 高峰值电流能力
- 低饱和电压
- 低栅极驱动要求
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源（UPS）
- 激光发生器
- 电容放电电路
- 交流开关