IXBF9N160G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.6kV | |
| 集电极电流(Ic) | 7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Cies) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 高压BIMOSFET可替代高压MOSFET，且电压降显著降低，具备与MOSFET兼容的控制，开启栅极电压为10 V
- 快速开关，适用于高频操作
- 具备反向导通能力
- ISOPLUS i4-PAC高压封装，背面绝缘
- 增大了朝向散热器的爬电距离
- 增大了高压引脚之间的爬电距离
- 引脚布局便于应用
- 高可靠性
- 符合行业标准外形
应用领域
- 开关模式电源
- DC-DC转换器
- 谐振转换器
- 灯镇流器
- 激光发生器、X射线发生器