IXGF20N300
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 3kV | |
| 集电极电流(Ic) | 22A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@15V,20A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 直接铜键合（DCB）基板上的硅芯片
- 隔离安装表面
- 4000V电气隔离
- 高峰值电流能力
- 低饱和电压
- 模塑环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
应用领域
- 电容放电脉冲电路
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 3kV | |
| 集电极电流(Ic) | 22A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@15V,20A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |