HGT1S12N60B3
HGT1S12N60B3
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGT1S12N60B3
- 商品编号
- C3191158
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 27A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 150ns | |
| 导通损耗(Eon) | 304uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HGTP12N60B3、HGT1S12N60B3和HGT1S12N60B3S是MOS栅控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在25%至150°C之间，低得多的导通状态电压降变化适中。 IGBT非常适合许多需要低传导损耗的中频率高压开关应用，例如：交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 27A、600V，Tc = 25°C
- 600V开关安全工作区能力
- 典型下降时间：在Tj = 150°C时为112ns
- 短路额定值
- 低传导损耗
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 电源
- 螺线管、继电器和接触器的驱动器