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IRGR3B60KD2TRP
600V 7.8A
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- 描述
- 特性：低VCE (on)非穿通IGBT技术。 低二极管VF。 10μs短路能力。 方形RBSOA。 超软二极管反向恢复特性。 正VCE (on)温度系数。 无铅
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRGR3B60KD2TRP
- 商品编号
- C3190816
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 7.8A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 15.6A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@3A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 190pF | |
| 输出电容(Coes) | 23pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 6.6pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 62uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 39uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 77ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低VCE(on)非穿通型IGBT技术。
- 低二极管VF。
- 10微秒短路耐受能力。
- 方形反向偏置安全工作区。
- 超软二极管反向恢复特性。
- 正VCE(on)温度系数。
- 无铅。