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KY2004KNC
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 0.75Ω (典型值0.65Ω) @VGS = -2.5V。 RDS(ON) ≤ 1.0Ω (典型值0.85Ω) @VGS = -2.5V。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
- 品牌名称
- KY(韩景元)
- 商品型号
- KY2004KNC
- 商品编号
- C3029285
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) ≤ 45 mΩ（典型值38mΩ）
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) ≤ 60 mΩ（典型值48mΩ）
- 静电放电等级：人体模型2.0KV
应用领域
- 脉冲宽度调制应用-负载开关-电源管理