温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KY2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.34A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 2.3Ω，VGS = 10V。 RDS(ON) ≤ 2.7Ω，VGS = 4.6V。应用：便携式电器
- 品牌名称
- KY(韩景元)
- 商品型号
- KY2N7002K
- 商品编号
- C3029306
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 280pC | |
| 输入电容(Ciss) | 22.8pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) ≤ 80 mΩ（典型值57 mΩ）
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) ≤ 130 mΩ（典型值112 mΩ）
应用领域
- 负载开关
- 电源管理