1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
- 订单数量按照以下:
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- 第四阶梯7折
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- 第六阶梯7折
- 10+: ¥0.173387 ¥0.247696
- 100+: ¥0.140123 ¥0.200176
- 300+: ¥0.123491 ¥0.176416
- 3000+: ¥0.106445 ¥0.152064 (折合1圆盘456.19元)
- 6000+: ¥0.096466 ¥0.137808 (折合1圆盘413.42元)
- 9000+: ¥0.091476 ¥0.13068 (折合1圆盘392.04元)
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¥0.173387 ¥0.247696 |
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¥0.140123 ¥0.200176 |
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¥0.123491 ¥0.176416 |
3000+: |
¥0.106445 ¥0.152064 (折合1圆盘456.19元) |
6000+: |
¥0.096466 ¥0.137808 (折合1圆盘413.42元) |
9000+: |
¥0.091476 ¥0.13068 (折合1圆盘392.04元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 800mA | |
功率(Pd) | 700mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@4.5V,0.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.15nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 61pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |