N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 10+: ¥0.183811 ¥0.193485
- 100+: ¥0.161239 ¥0.169725
- 300+: ¥0.149953 ¥0.157845
- 1000+: ¥0.141488 ¥0.148935
- 5000+: ¥0.128512 ¥0.135276 (折合1圆盘676.38元)
- 10000+: ¥0.125126 ¥0.131712 (折合1圆盘658.56元)
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¥0.128512 ¥0.135276 (折合1圆盘676.38元) |
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¥0.125126 ¥0.131712 (折合1圆盘658.56元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 800mA | |
功率(Pd) | 700mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@4.5V,0.55A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.15nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 61pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |