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KY5853DC
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.7A
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- 描述
- 特性：具有MOSFET和肖特基二极管。 每个器件独立引脚，便于电路设计。 超低正向压降（VF）肖特基二极管。应用：锂离子电池充电。 高端直流-直流转换电路
- 品牌名称
- KY(韩景元)
- 商品型号
- KY5853DC
- 商品编号
- C3029307
- 商品封装
- DFNWB-8-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) ≤ 23 mΩ（典型值为16 mΩ）
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) ≤ 34 mΩ（典型值为21 mΩ）
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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