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KY2002KNC
N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 0.38Ω (典型值0.25Ω) @VGS = 4.5V。RDS(ON) ≤ 0.45Ω (典型值0.35Ω) @VGS = 2.5V。RDS(ON) ≤ 0.8Ω (典型值0.4Ω) @VGS = 1.8V。应用：负载/电源开关。接口开关
- 品牌名称
- KY(韩景元)
- 商品型号
- KY2002KNC
- 商品编号
- C3029286
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- RDS(ON) ≤ 25 mΩ（典型值18mΩ）
- 在VGS = 10V条件下
- RDS(ON) ≤ 40 mΩ（典型值28mΩ）
- 在VGS = 4.5V条件下
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理