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AP40N10P
100V N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP40N10P
- 商品编号
- C3024822
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP40N10P采用先进的APM - SGT I技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ(典型值:18 mΩ)
应用领域
-直流-直流转换器-LED背光-电源管理开关