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AP200N12T

120V,电流:200A,耐压:120V

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商品型号
AP200N12T
商品编号
C3024862
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))4.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)240W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)5.24nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)739pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP200N12P/T采用先进的APM-SGT技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 120V(典型值:135V)
  • ID = 200A
  • RDS(ON)< 4.2 m Ω@ VGS=10 V(典型值:3.7 m Ω)

应用领域

  • 电池管理系统(BMS)
  • 不间断电源(UPS)
  • 电源管理开关

数据手册PDF