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AP4N65F
650V N沟道增强型MOSFET,电流:4A,耐压:650V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP4N65F
- 商品编号
- C3024919
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
AP4N65F/P 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET,采用自对准平面技术制造,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = 650V,ID = 4A
- RDS(ON) <2.4Ω@ VGS = 10V
应用领域
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)