温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APJ50N65F
650V,电流:50A,耐压:650V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APJ50N65F
- 商品编号
- C3024935
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.27nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
APJ50N65F/P/T 是 CoolFET II MOSFET 系列产品,采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。APJ14N65F/P/T 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- VDS = 650 V(典型值:740 V),IDM = 50A
- RDS(ON) < 190 mΩ(VGS = 10 V 时)(典型值:150 mΩ)
应用领域
-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)