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AP16P01BF

P沟道增强型MOSFET,电流:-16A,耐压:-18V

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商品型号
AP16P01BF
商品编号
C3024940
商品封装
DFN-6L(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)18V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))42mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.6W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)8.8nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)830pF
反向传输电容(Crss)85pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)132pF
栅极电压(Vgs)±12V

商品概述

AP16P01BF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -18V,ID = -16A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 24mΩ(典型值:18mΩ)
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 32mΩ(典型值:24mΩ)

应用领域

-电子烟负载开关

数据手册PDF