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AP80P06T
P沟道增强型MOSFET,电流:-82A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP80P06T
- 商品编号
- C3024949
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AP9N90F/T/P 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60 V
- 漏极电流ID = -82 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < -12 mΩ(典型值:10 mΩ)
应用领域
-锂电池保护-开关电源-不间断电源(UPS)