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AP80P10T引脚图
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AP80P10T

P沟道,电流:-80A,耐压:-100V

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商品型号
AP80P10T
商品编号
C3024955
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
耗散功率(Pd)280W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)4.23nF
反向传输电容(Crss)26pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)388pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP80P10P/T采用先进的APM-SGT V技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -100V,ID = -80A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 25 mΩ(典型值:19 mΩ)
  • Ciss ≈ 4230 pF

应用领域

-无刷电机-负载开关-不间断电源

数据手册PDF