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场效应管(MOSFET)
AP5N50P
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引脚图
此图展示了型号为 AP5N50P 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 AP5N50P 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
AP5N50P
500V N沟道增强型MOSFET
品牌名称
APM(永源微电子)
商品型号
AP5N50P
商品编号
C3024898
商品封装
TO-220
包装方式
管装
商品毛重
3.6克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)
32.9W
阈值电压(Vgs(th))
4V@250uA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
19nC@10V
输入电容(Ciss)
700pF
反向传输电容(Crss)
12pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
94pF
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