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AP200N15TLG1实物图
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AP200N15TLG1

N沟道,电流:200A,耐压:150V

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商品型号
AP200N15TLG1
商品编号
C3024874
商品封装
TOLLA-8L​
包装方式
编带
商品毛重
1.085克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)210W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)5.24nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)412pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP200N15TLG1采用先进的APM-SGT技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 150V,ID = 200A
  • RDS(ON) < 7.2 mΩ(@VGS = 10V,典型值:6.2 mΩ)

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 电源管理开关
  • BMS/UPS

数据手册PDF