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AP150N10T
100V,电流:150A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP150N10T
- 商品编号
- C3024835
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 148W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP55N10CP是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 150A
- RDS(ON) < 5.5 mΩ(@VGS = 10V,典型值:4.2 mΩ)
应用领域
- DC/DC转换器
- LED背光
- 电源管理开关