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AP160N10T
100V N沟道增强型MOSFET,电流:160A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP160N10T
- 商品编号
- C3024838
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
APG170N10P/T采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于
商品特性
- VDS = 100V,ID = 160A
- RDS(ON) < 4.2 mΩ,VGS = 10V(典型值:3.7 mΩ)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源