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AP180N10MP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP180N10MP

100V N沟道增强型MOSFET,电流:180A,耐压:100V

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商品型号
AP180N10MP
商品编号
C3024845
商品封装
TO-247-3L​
包装方式
管装
商品毛重
7.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)148W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)75nC
输入电容(Ciss@Vds)4.4nF@50V
反向传输电容(Crss)20pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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