- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP55N10F
N沟道,电流:55A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP55N10F
- 商品编号
- C3024824
- 商品封装
- TO-220F-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.0039nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185.4pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP55N10F采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 55A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 21mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源