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SLD5N65SV
1个N沟道 耐压:680V 电流:5A
- 描述
- 此功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLD5N65SV
- 商品编号
- C3020414
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 680V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- Vds = 30V，Id = 6A
- VGS为10V时，RDS(ON) < 23mΩ
- VGS为4.5V时，RDS(ON) < 32mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换