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GD32C103RBT6

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描述: 特性：SPI NOR Flash:3.0V：单电源供电，电压范围2.7V~3.6V，高速时钟频率，数据读取频率高达200MHz，双通道数据吞吐量高达332Mbit/s，四通道数据吞吐量高达664Mbit/s，双沿传输四通道数据吞吐量高达1600Mbit/s，双沿传输八通道数据吞吐量高达3200Mbit/s，连续读取8/16/32/64-Byte，灵活的存储结构，扇区大小4K Bytes，块大小32/64K Bytes。应用：电源管理单元：TWS耳机充电盒、耳机和助听器、便携式医疗设备、护理监测仪、低电池电量应用。电机驱动：三相BLDC和PMSM电机、电动工具、机器人和遥控玩具、工业自动化
品牌名称: GigaDevice(兆易创新)
商品型号: GD32C103RBT6
商品编号: C3020449
商品封装: LQFP-64(10x10)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.33克(g)

商品参数

商品特性

SPI NOR Flash 3.0V：
- 单电源供电，电压范围: 2.7V~3.6V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达200MHz
- 双通道数据吞吐量高达332Mbit/s
- 四通道数据吞吐量高达664Mbit/s
- 双沿传输四通道数据吞吐量高达1600Mbit/s
- 双沿传输八通道数据吞吐量高达3200Mbit/s
- 连续读取8/16/32/64-Byte
- 灵活的存储结构，扇区大小: 4K Bytes，块大小: 32/64K Bytes
SPI NOR Flash 1.8V：
- 单电源供电，电压范围: 1.65V~2.0V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达200MHz
- 双通道数据吞吐量高达332Mbit/s
- 四通道数据吞吐量高达664Mbit/s
- QPI数据吞吐量高达664Mbit/s
- 双沿传输四通道数据吞吐量高达1600Mbit/s
- 双沿传输八通道数据吞吐量高达3200Mbit/s
- 连续读取8/16/32/64-Byte
- 灵活的存储结构，扇区大小: 4K Bytes，块大小: 32/64K Bytes
SPI NOR Flash 1.65V~3.6V：
- 单电源供电，电压范围: 1.65V~3.6V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达104MHz
- 双通道数据吞吐量高达208Mbit/s
- 四通道数据吞吐量高达416Mbit/s
- 连续读取8/16/32/64-Byte
- 灵活的存储结构，扇区大小: 4K Bytes，块大小: 32/64K Bytes
SPI NAND Flash 3.3V：
- 供电电压：2.7V~3.6V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达133MHz
- 四通道数据吞吐量高达532Mbit/s
- 灵活的存储结构，2K Byte页读取写入大小，128K Byte块擦除大小
- 增强访问性能，提供2K Byte Cache空间随机读取
- SPI NAND先进特性，内置ECC算法，内部数据搬移，通过ECC确保Block0为出厂好块
SPI NAND Flash 1.8V：
- 供电电压：1.7V~2.0V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达104MHz
- 四通道数据吞吐量高达416Mbit/s
- 灵活的存储结构，2K Byte页读取写入大小，128K Byte块擦除大小
- 增强访问性能，提供2K Byte Cache空间随机读取
- SPI NAND先进特性，内置ECC算法，内部数据搬移，通过ECC确保Block0为出厂好块
并口NAND Flash 3.3V：
- 供电电压: 2.7V~3.6V
- 容量: 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb
- 页大小：2K+64 Byte / 2K+128 Byte / 4K+256 Byte
- 页读取时间：25us
- I/O传输速度：12ns/20ns/25ns
- 总线宽度: x8/x16
- 温度等级：工业级-40~85℃/工业级-40~105℃
- 符合ONFI1.0标准

应用领域

TWS耳机充电盒
耳机
助听器
便携式医疗设备
护理监测仪
低电池电量应用
三相BLDC和PMSM电机
电动工具
机器人和遥控玩具
工业自动化
无线基础设施通信/网卡
工业应用
安防设备
锂电充电和模拟前端监测
笔记本电脑
扫地机

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	单片机(MCU/MPU/SOC)
	CPU内核	ARM Cortex-M4
	CPU最大主频	120MHz
	程序存储容量	128KB

	属性	参数值
	程序存储器类型	FLASH
	I/O数量	51
	ADC(位数)	12bit
	DAC(位数)	12bit