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ITU07N65R
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 特性：RoriS 合规。 低导通电阻。 低栅极电荷。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 电感式开关曲线。应用：适配器。 充电器
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- ITU07N65R
- 商品编号
- C3020444
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品特性
~~- 符合RoHS标准-低导通电阻-低栅极电荷-峰值电流与脉冲宽度曲线-电感式开关曲线-无铅封装和表面处理
应用领域
- 适配器-充电器-开关电源