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ITU01N60A
N沟道 耐压:600V 电流:1A
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- 描述
- 特性：RoHS 合规。低导通电阻。低栅极电荷。峰值电流与脉冲宽度曲线。电感开关曲线。应用：适配器。充电器
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- ITU01N60A
- 商品编号
- C3020446
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 128pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CX3203采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- N沟道
- 36V/7A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 20 mΩ（最大值）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 30 mΩ（最大值）
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统