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ITD08N65R
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- ITD08N65R
- 商品编号
- C3020438
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 860mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 123pF |
商品概述
这款新一代30V P沟道增强型MOSFET旨在降低导通电阻RDS(ON)，同时保持出色的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
应用领域
- 笔记本电脑电池电源管理-直流-直流转换器-负载开关