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CR4N65A3K
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- CR4N65 A3K是一款采用硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），通过自对准平面技术制造而成。该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可应用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CR4N65A3K
- 商品编号
- C3020443
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 564pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -60 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 11 mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换