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TDM3512
1个N沟道 耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- 类型 N 漏源电压(Vdss) 20 阈值电压(Vgs) 12 连续漏极电流(Id) 17.8 导通电阻(mΩ) 输入电容(Ciss) 3775 反向传输电容Crss(pF) 525 栅极电荷(Qg)
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3512
- 商品编号
- C380220
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.91nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
商品概述
TDM3512采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 1.8V时，RDS(ON) < 7mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 4.5mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 3.4mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 供电系统