MLG0603P2N0ST000
±0.3nH 2nH
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- 描述
- 特性:高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用:智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路
- 品牌名称
- TDK
- 商品型号
- MLG0603P2N0ST000
- 商品编号
- C380001
- 商品封装
- 0201
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 贴片电感 | |
| 电感值 | 2nH | |
| 精度 | - | |
| 额定电流 | 600mA | |
| 饱和电流(Isat) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电阻(DCR) | 30mΩ | |
| 品质因数 | 14@500MHz | |
| 自谐振频率 | 8.5GHz | |
| 车规等级 | - | |
| 类型 | 叠层电感 |
- MLJ1005WR10JT000
- MLP2016WR47MT0S1
- MLP2520S2R2LT000
- MLZ2012M1R0HTD25
- MHQ1005P10NGT000
- MLP1608V1R0BT0S1
- MLP2012S1R0MT0S1
- MLP2012S1R5MT0S1
- MLP2012S2R2TT0S1
- MLP2012SR47TT0S1
- MLP2012V1R0MT0S1
- MLP2012V4R7MT0S1
- MLP2016H3R3MT0S1
- MLP2016S4R7MT0S1
- MLP2520S3R3ST0S1
- MLP2520S4R7ST0S1
- MLZ1005M2R2WT000
- MLZ1608DR10DT000
- MLZ1608DR22DT000
- MLZ1608DR47DT000
- MLZ1608M220WT000
- MLJ1005WR10JT000
- MLP2016WR47MT0S1
- MLP2520S2R2LT000
- MLZ2012M1R0HTD25
- AVRM0603C6R8NT101N
- VAR-18060218M3P-FK
- VAR-18066100M3P-CK
- VLS201610ET-1R0N
- VLS201610HBX-1R5M-1
- DEA211898BT-9033B1
- DPX165850DT-8033B1
- MCZ1210AD221T001
- VLS3012ET-1R5N
- HHM22106B1
- DEA202450BT-7089C3
- VLF3010AT-220MR33
- SLF7028T-4R7M3R0-T3PF
- NLC565050T-101K-PF
- VLCF5028T-330MR62-2
- VLF3012ST-1R0N2R0
- PC44PQ26/25Z-12


