温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TDM3532
耐压:30V 电流:131A
- 描述
- 类型 N 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 28 导通电阻(mΩ) 1.9 输入电容(Ciss) 2800 反向传输电容Crss(pF) 140 栅极电荷(Qg) 44.5
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3532
- 商品编号
- C380222
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 131A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.485nF |
商品概述
TDM3532采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 3mΩ
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 1.9mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 提供无铅产品
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理