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TDM3744实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TDM3744

1个N沟道 耐压:80V 电流:180A

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描述
类型 N 漏源电压(Vdss) 80 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 导通电阻(mΩ) 3.9 输入电容(Ciss) 3635 反向传输电容Crss(pF) 91 栅极电荷(Qg) 74
品牌名称
Techcode(泰德)
商品型号
TDM3744
商品编号
C380240
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)196A
导通电阻(RDS(on))3.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)272W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)74nC@10V
输入电容(Ciss)3.635nF
反向传输电容(Crss)91pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.317nF

商品概述

TDM3744采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 80V/196A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 3.9mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 提供无铅产品
  • TO220封装

应用领域

  • 开关电源中的同步整流-硬开关和高速电路-电动工具-不间断电源(UPS)-电机控制

数据手册PDF