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AP2080Q实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP2080Q

1个N沟道 耐压:20V 电流:30A

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描述
AP2080Q系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种适用于广泛电源应用的高效器件。
品牌名称
ALLPOWER(铨力)
商品型号
AP2080Q
商品编号
C3013876
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)24W
阈值电压(Vgs(th))900mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)99.2nC
输入电容(Ciss)6.4nF
反向传输电容(Crss)625pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)780pF

商品概述

AP10G04DF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 支持2.5V栅极驱动
  • 小尺寸且超低导通电阻RDS(ON)
  • 符合RoHS标准且无卤

应用领域

  • 无线充电
  • 升压驱动器
  • 无刷电机

数据手册PDF