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IPW60R040CFD7XKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW60R040CFD7XKSA1

600V,电流:32A,耐压:650V

商品型号
IPW60R040CFD7XKSA1
商品编号
C3013879
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.33克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)227W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@1.25mA
栅极电荷量(Qg)109nC@10V
输入电容(Ciss)4.354nF@400V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

WSF3013B是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道和P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSF3013B符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 100%保证抗雪崩能力(EAS)
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 用于移动主板(MB)/笔记本电脑(NB)/超移动个人计算机(UMPC)/显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
  • 网络直流-直流电源系统
  • 冷阴极荧光灯管(CCFL)背光源逆变器

数据手册PDF