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AP7N10K
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:7A
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- 描述
- 特性：100V，7A。 RDS(ON) < 130mΩ，VGS = 10V，典型值：105mΩ。 RDS(ON) < 185mΩ，VGS = 4.5V，典型值：150mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP7N10K
- 商品编号
- C3013878
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 212pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 27.5pF |
商品特性
- 100V、7A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 130 mΩ,典型值:105 mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 185 mΩ,典型值:150 mΩ
- 先进沟槽技术
- 符合无铅产品标准
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理