温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP30N03DF
30V N沟道增强型MOSFET,电流:30A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP30N03DF
- 商品编号
- C3011269
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP4406A采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V
- 漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源