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AP4406A
N沟道,电流:12A,耐压:30V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP4406A
- 商品编号
- C3011265
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 900pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP4406A采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 12 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源