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AP6N03LI
N沟道增强模式MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- AP6N03LI采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP6N03LI
- 商品编号
- C3011262
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
AP60N03DF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 6A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 28mΩ(典型值:20mΩ)
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 32mΩ(典型值:25mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源