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AP3404BI
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- AP3404BI采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻Rds(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP3404BI
- 商品编号
- C3011259
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复峰值电流（IRRM）
- 低品质因数（FOM）：导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 因Qrr降低而具有低开关损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
-电信领域-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费和计算机领域-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源领域-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑结构的应用-LCC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥