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HYG035N08NS2C2
N沟道 耐压:80V 电流:105A
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- 描述
- 特性：80V/105A。RDS(ON) = 2.8mΩ (typ.) @ VGS = 10V。100%雪崩测试。可靠耐用。有符合RoHS标准的无卤器件。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG035N08NS2C2
- 商品编号
- C3011226
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.95nF |
商品概述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种高效可靠的外部器件，可广泛应用于各种领域。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热达2.0 W。 对于低外形应用，可提供通孔版本（IRFZ44L、SiHFZ44L）。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 表面贴装（IRFZ44S、SiHFZ44S）
- 低外形通孔（IRFZ44L、SiHFZ44L）
- 175°C工作温度
- 快速开关