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D4N60
N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- D4N60是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高稳健雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- D4N60
- 商品编号
- C2981741
- 商品封装
- TO-252W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 564pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
D4N60是一款高压功率MOSFET,采用先进的沟槽MOSFET设计,具备更优特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 当VGS = 10V、ID = 2.0A时,RDS(ON) ≤ 2.8 Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力,高抗扰性
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理
- 便携式设备和电池供电系统