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PMH850UPEH
1个P沟道 耐压:30V 电流:0.6A
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小型DFN0606-3 (SOT8001) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMH850UPEH
- 商品编号
- C2981747
- 商品封装
- DFN0606-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.080333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 660mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 62.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.9pF |
商品概述
AOD4130-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 30 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 30 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源