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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU1L002SNMGTL

1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA

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描述
特性:低导通电阻,高电流。 小封装(SOT-323FL)。 超低电压驱动(2.5V驱动)。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 无卤素。应用:开关
品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RU1L002SNMGTL
商品编号
C2981762
商品封装
SOT-323-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.022克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)250mA
导通电阻(RDS(on))2.4Ω
耗散功率(Pd)200mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.3V@1mA
输入电容(Ciss)15pF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)4.5pF

商品概述

  • 分裂栅沟槽MOSFET技术
  • 低 RDS(on) 和品质因数(FOM)
  • 低Crss
  • 极低的开关损耗
  • 出色的稳定性和一致性

商品特性

  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
  • 100%进行了△VDS测试

应用领域

  • DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-工业和电机驱动应用

数据手册PDF