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RTR025N03HZGTL
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小表面贴装封装（TSMT3）。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 通过AEC-Q101认证。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RTR025N03HZGTL
- 商品编号
- C2982517
- 商品封装
- SOT-346
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
GL5N50A4是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅 - 源保护二极管
- 小型表面贴装封装(TSMT3)
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 通过 AEC - Q101 认证
应用领域
-开关应用
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