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F7N70L
N沟道 耐压:700V 电流:7A
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- 描述
- F7N70是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET设计，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F7N70L
- 商品编号
- C2981743
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 497pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品概述
NCE6003XM采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 60V，漏极电流 (ID) = 3A
- 栅源电压 (VGS) = 10V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 78 mΩ
- 栅源电压 (VGS) = 4.5V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 96 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品为无铅产品
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- DC/DC 转换器